北京
国家知识产权局信息显示，陕西宇腾电子科技有限公司申请一项名为“基于气相沉积的氮化镓薄膜制备方法及系统”的专利，公开号CN122833577A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体薄膜外延生长与气相沉积控制领域，具体为基于气相沉积的氮化镓薄膜制备方法及系统；该方法在基座承载区域设置彼此隔离的中心背吹区和边缘背吹区，并在两区之间设置挡气凸环；将碳化硅衬底置于基座承载面完成氮化镓薄膜沉积后，根据压力变化确定表征衬底翘曲趋势的翘曲表征量；再根据翘曲表征量或降温状态，确定中心背吹区和边缘背吹区的目标气体组分比例；在保持各背吹区总流量不变条件下，并循环执行至满足停止调节条件；该系统包括反应腔体、基座、加热单元、背吹分区结构、背吹气供给结构、压力检测结构、温度检测结构及控制器。本发明可减小降温引起的径向温差，抑制微裂纹和边缘失效。
天眼查资料显示，陕西宇腾电子科技有限公司，成立于2015年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704.3483万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西宇腾电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可16个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
