北京
国家知识产权局信息显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“太空异质结太阳能电池及其制作方法”的专利，公开号CN122846863A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开太空异质结太阳能电池及其制作方法。所述太空异质结太阳能电池通过太空异质结太阳能电池的制作方法制成，所述太空异质结太阳能电池包括单晶硅片，所述单晶硅片的正面上依次形成有第一本征非晶硅层、N型微晶硅层、第一透明导电膜层以及第一电极，所述单晶硅片的反面上依次形成有第二本征非晶硅层、P型微晶硅层、第二透明导电膜层以及第二电极，所述单晶硅片上宽度为0.2mm～0.8mm的边缘区域及侧面上的绒面被刻蚀去除并且仅覆盖有非晶硅和/或氮化硅钝化层。本发明能降低TCO膜去除的成本，并且避免刻蚀TCO膜导致的效率下降，提高电池及组件的抗弯折能力、电性能及转换效率。
天眼查资料显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本23512.8795万人民币。通过天眼查大数据分析，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息143条，此外企业还拥有行政许可53个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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