北京
国家知识产权局信息显示，湖南德智新材料股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅及其制备方法与应用”的专利，公开号CN122833549A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种碳化硅及其制备方法与应用，所述方法通过将基底经预处理后置于化学气相沉积设备中，先在低前驱体流量和低压条件下进行成核生长，形成低密度初始晶核层；随后依次通过第一梯度段逐步提升温度和前驱体流量、第二梯度段提升压力并恒温恒流量稳定生长、第三梯度段进一步提升温度和流量进行强化长大，最后梯度降温冷却获得碳化硅。该方法通过将低密成核与分段式梯度生长耦合，有效抑制了二次成核，驱动已成核晶粒择优、吞并式长大，解决了传统恒定参数工艺因晶粒细小、晶界密集而室温热导率偏低的问题，最终获得平均晶粒尺寸达70μm以上、晶界密度大幅降低的高热导率碳化硅。
天眼查资料显示，湖南德智新材料股份有限公司，成立于2017年，位于株洲市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2437.2476万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南德智新材料股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息130条，此外企业还拥有行政许可37个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
