北京
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“半导体制造方法、对应的半导体产品以及装置”的专利，公开号CN122847187A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体制造方法、对应的半导体产品以及装置。半导体管芯被包封在电绝缘包封中以形成面板。在面板的表面中在在相邻面板部分之间的单颗化线处形成沟槽，每个面板部分包括至少一个半导体管芯。在面板的表面处，通过在其选择的区域处生长导电材料，形成图案化的金属层。图案化的金属层包括：对于嵌入在面板中的半导体管芯共用的再分布层；在共用再分布层上生长的焊盘，其中焊盘经由共用再分布层与嵌入在面板中的半导体管芯电耦合；以及在面板的表面中形成的沟槽处生长的连接条，其中连接条经由共用再分布层与焊盘电耦合。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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