北京
来源：中国财富
9月28日晚，长鑫科技（688825）发布公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目。同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
拟使用近半数超募资金
公告显示，长鑫科技IPO最终募集资金净额为663.10亿元，其中超募资金为368.10亿元。截至目前，公司尚未使用超募资金。本次拟使用180亿元，占超募资金规模的近一半。
具体来看，技术研发项目计划投资总额为241亿元，其中拟使用超募资金投入金额130亿元，投资建设期为30个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。
长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目计划投资总额为108亿元，其中公司将通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金金额50亿元。项目投资建设期为37个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。
上半年营收同比大增超8倍
公开信息显示，长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。
2026年半年报显示，长鑫科技上半年实现营业收入1503.10亿元，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润776.05亿元，上年同期为亏损23.32亿元，实现扭亏为。经营活动产生的现金流量净额为1311.56亿元，同比增长2985.64%。
二级市场上，长鑫科技于今年7月27日在科创板挂牌上市。截至9月29日10:32，长鑫科技股价涨2.08%报54.92元/股，最新市值37282亿元，位列A股第一。
来源：中国财富网
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