北京
国家知识产权局信息显示，扬州晶新微电子有限公司申请一项名为“带背面黑胶保护的铝镍金多层金属腐蚀工艺”的专利，公开号CN122847059A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件芯片制造工艺领域，具体公开了带背面黑胶保护的铝镍金多层金属腐蚀工艺，包括：采集金腐蚀液物性参数与黑胶入料参数，计算腐蚀液渗入深度，判定黑胶浸润状态，结合菲克第二定律与有限差分法，解算冲洗后各薄层碘离子残留浓度，生成暂存状态向量；基于残留浓度计算碘离子化学势差，判定逆流热力学条件，结合阿伦尼乌斯公式通过逸出通量与安全阈值比对，识别逆流高风险工况；采用数值迭代法反向求解温控与冲洗流速的最优工艺指令序列，将碘离子逸出通量限定在安全范围；最后编译机台指令执行诱导释放程序，校验温、流速执行精度，完成风险消除判定，未达标批次自动报警隔离，有效规避碘离子逆流造成的工艺异常。
天眼查资料显示，扬州晶新微电子有限公司，成立于1998年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2963万美元。通过天眼查大数据分析，扬州晶新微电子有限公司参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可47个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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