北京
来源：市场资讯
（来源：深圳商报）
9月28日晚间，长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
根据公告，技术研发项目投资建设期为30个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进项目的高效实施。
该项目为研发项目，不单独进行投资回报测算，项目最终产生的经济利益，是通过技术赋能公司主营产品，促进公司主营业务增长表现出来的。项目建成后将推动技术创新突破，加速科技成果转化，带动产业升级。长鑫科技表示，该项目的实施，有利于公司进一步保持和增强技术研发实力，有助于增强公司的市场地位，提升公司整体核心竞争力。
长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目投资建设期为37个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。
经测算，项目内部收益率及总投资收益率均处于合理区间，经济效益良好。有利于促进公司进一步完善IDM运营模式，实现从前道至后道的产业链整合，有利于解决公司新增测试产能不足问题，保障后道产能供应链安全，有效降低测试成本，提升公司整体运营能力，从而提升公司整体核心竞争力。
资料显示，长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。
今年上半年，公司实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归母净利润776.05亿元，较上年同期亏损23.32亿元，同比扭亏为盈；经营活动产生的现金流量净额为1311.56亿元，同比增长2985.64%。
9月28日，长鑫科技收跌4.27%，总市值3.65万亿元，位列A股第一。
来源 读创财经
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