北京
瑞财经 王敏 9月28日，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）发布关于使用部分超募资金投资建设新项目的公告。
长鑫科技拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供超募资金50亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。
上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
具体来看，技术研发项目计划投资总额为241亿元，其中拟使用超募资金投入金额130亿元，投资建设期为30个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。
长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目计划投资总额为108亿元，其中公司将通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金金额50亿元。
本项目投资建设期为37个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。
测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。
同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善IDM模式、增强公司的整体竞争力。
长鑫科技是DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。
今年7月27日，长鑫科技在科创板挂牌上市，保荐机构为中金公司、中信建投。其开盘报49.5元，涨471.59%，总市值约3.31万亿元，成为2026年以来A股规模最大的IPO。
值得一提的是，长鑫科技上市首日即刷新多项A股历史纪录：成为A股首只开盘市值破3万亿的科技股；登顶科创板市值榜首，超越中芯国际成为科创板市值最高上市公司；A股首只单日成交额突破千亿的个股，上市首小时成交已超1000亿元等。
2026年上半年，长鑫科技实现营业收入约1503.10亿元，同比增加约873.64%；归属于上市公司股东的净利润776.05亿元，同比扭亏为盈。
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