广东
北京时间9月28日晚间，国产DRAM大厂长鑫科技发布公告称，公司于当日召开第二届董事会第六次会议，审议通过《关于使用部分超募资金投资建设新项目的议案》，拟使用超募资金合计180亿元投资两大新项目。该议案尚需提交股东会审议。
根据公告，长鑫科技首次公开发行（IPO）人民币普通股（A股）76.91亿股（含超额配售选择权全额行使），募集资金总额666.07亿元，扣除发行费用2.96亿元后，募集资金净额为663.10亿元。
长鑫科技原计划将募集资金295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
最终，长鑫科技IPO超募资金金额达368.10亿元。募集资金于2026年7月22日到账，截至目前超募资金尚未使用。长鑫科技此次拟使用其中的180亿元超募资金投向两大新项目，这两个新项目总投资额为349亿元。
项目一：241亿元技术研发项目，设备购置占九成以上
项目名称：技术研发项目
实施主体：长鑫科技集团股份有限公司
实施地点：安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内
项目总投资：241.00亿元
拟使用超募资金：130.00亿元
建设周期：30个月
根据投资概算，该项目设备购置费高达223.98亿元，占总投资92.94%，其中拟使用超募资金130亿元全部用于设备购置。其余投资包括建筑工程费6.62亿元、预备费3.50亿元、建设期利息4.50亿元及铺底流动资金2.40亿元。
长鑫科技称，该项目主要用于技术研发，不单独进行投资回报测算，最终经济利益通过技术赋能主营产品、促进主营业务增长来体现。
项目二：108亿元后道测试基地二期，完善IDM模式
项目名称：长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目
实施主体：长鑫存储产品（合肥）有限公司（长鑫科技全资子公司）
实施地点：合肥市肥西县创新大道与皋城路交叉口西南侧
项目总投资：108.00亿元
拟使用超募资金：50.00亿元（通过增资和借款方式投入）
建设周期：37个月
该项目计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装。投资概算中，设备购置及安装费81.80亿元，占总投资75.74%，其中拟使用超募资金50亿元全部用于设备购置及安装。建设投资合计100亿元，建设期利息6.50亿元，铺底流动资金1.50亿元。
长鑫科技称，经测算，该项目内部收益率及总投资收益率均处于合理区间，经济效益良好。项目将帮助公司解决新增测试产能不足问题，保障后道产能供应链安全，有效降低测试成本，完善IDM运营模式。
项目必要性：技术迭代与产能保障双轮驱动
对于投资这两大新项目的必要性，长鑫科技从两个维度进行了阐述：
1、加速公司技术和产品迭代升级，满足下游应用需求与技术范式转变构筑并维持核心竞争力与长远发展的根本，在于坚定不移地推进产品与制程工艺的迭代升级。面对如此复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。这不仅是满足市场需求的关键，更是构筑企业深厚护城河、提升抗风险能力的必由之路。
因此，公司拟通过实施超募项目，开展技术研发工作，在保持公司技术领先性的同时，也有利于公司更快的推出满足市场需求、性能更好、竞争力更强的产品，以增强公司的核心竞争力及抗风险能力。
2、保障后道测试产能，提升运营效率，降低测试成本，完善IDM模式测试是 DRAM 生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。
同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司 DRAM 芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善 IDM 模式、增强公司的整体竞争力。
编辑：芯智讯-浪客剑
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