四川
长鑫科技（SH688825，股价53.8元，市值3.65万亿元）9月28日晚间公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目。同时，长鑫科技拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
图片来源：公告截图
二级市场上，长鑫科技自2026年上市以来股价表现强劲。数据显示，9月28日，长鑫科技收跌4.27%，总市值3.65万亿元，位列A股第一，上市以来累计涨幅达521.25%。
拟投180亿元超募资金加码研发与后道测试
根据公告，长鑫科技此次两项目拟使用的超募资金共计180亿元，其中技术研发项目拟使用超募资金130亿元，存储器晶圆后道测试基地二期项目拟使用超募资金50亿元。
具体来看，技术研发项目由长鑫科技作为实施主体，实施地点位于安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内，项目总投资金额241亿元，其中拟使用超募资金投入金额130亿元，建设周期为30个月。从投资构成看，该项目设备购置费达223.98亿元，占投资总额的92.94%。公告指出，该项目主要用于技术研发，不单独进行投资回报测算，其最终产生的经济利益将通过技术赋能公司主营产品、促进主营业务增长表现出来。
存储器晶圆后道测试基地二期项目则由全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司实施，实施地点位于合肥市肥西县创新大道与皋城路交叉口西南侧，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。该项目投资总额108亿元，其中公司通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金50亿元，建设周期为37个月。公告称，经测算，该项目内部收益率及总投资收益率均处于合理区间，经济效益良好。
公告显示，长鑫科技首次公开发行股票募集资金净额为663.10亿元，超募资金金额为368.10亿元，目前已使用金额为0元，募集资金到账时间为2026年7月22日。本次投资事项已于9月28日经公司第二届董事会第六次会议审议通过，中国国际金融股份有限公司、中信建投证券股份有限公司作为保荐机构出具了明确无异议的核查意见，该议案尚需提交公司股东会审议。本次投资不构成关联交易，亦不构成重大资产重组。
对于项目必要性，长鑫科技表示，面对复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续研发投入驱动工艺技术代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃；同时，随着产能提升和产品种类增多，外部封测厂测试产能可能不足，自建后道测试产能有利于保障供应链安全、降低测试成本，进一步完善IDM模式。
上半年扭亏为盈 营收同比大增逾8倍
长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
根据公司8月28日披露的2026年半年度报告，长鑫科技上半年实现营业收入1503.10亿元，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润776.05亿元，上年同期为亏损23.32亿元，实现扭亏为盈；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为787.93亿元。经营活动产生的现金流量净额为1311.56亿元，同比增长2985.64%。基本每股收益为1.2893元，加权平均净资产收益率为81.06%。
对于业绩大幅增长的原因，长鑫科技在半年报中表示，主要得益于全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格呈现大幅上涨趋势，带动公司主要DRAM产品销售毛利大幅增长。据Omdia数据，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的7638亿美元，年均复合增长率达38.39%。
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