北京
国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体电阻率的量测方法及设备”的专利，公开号CN122825793A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体电阻率的量测方法及设备，通过在待测半导体表面形成半导体结，并对半导体结施加大于零并小于预设电压的测试偏压，以降低耗尽层的深度，从而增加待测半导体电阻率的量测范围；另外，对待测半导体测量导纳进行测量，并计算获得待测半导体的测量阻抗，将测量阻抗的实部与等效电阻抵消，从而计算获得不同测试偏压下对应的等效电容，以提高量测电阻率的准确度；另外，在向半导体结施加测试偏压前，对待测半导体进行预测试，对半导体结施加不同的预测试偏压，并对待测半导体的测量电导进行测量，以测量电导处于极大值时的预测试偏压作为预设电压，以避免待测半导体过度导通导致无法量测待测半导体的电阻率。
天眼查资料显示，上海新昇半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新昇半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2155次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息812条，此外企业还拥有行政许可241个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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