北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122825438A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：半导体衬底；相邻的位线结构，去位于半导体衬底之上彼此间隔开；至少一个接触焊盘，其形成在半导体衬底中、位于相邻的位线结构之间、并具有比相邻的位线结构的底表面低的底表面；以及储存节点接触件，其设置在至少一个接触焊盘之上、与该至少一个接触焊盘接触。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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