北京
国家知识产权局信息显示，浙江鸿石光电科技有限公司申请一项名为“一种提高MicroLED像素密度的制造方法及显示器件”的专利，公开号CN122825599A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种提高MicroLED像素密度的制造方法及显示器件，属于半导体光电器件制造技术领域。方法包括：对LED外延晶圆自电势过渡层侧进行槽顶宽、槽底窄的Mesa刻蚀形成隔离凹槽及各像素发光台面；沉积绝缘层并开口后形成连续覆盖各台面及凹槽的金属层，填充介质并制备与其共面的外延侧导电柱；将其与CMOS驱动晶圆进行晶圆级混合键合；去除衬底及缓冲层后，自n型半导体层面进行槽顶宽、槽底窄的隔离刻蚀，其槽底与翻转后的隔离凹槽窄开口对准并刻断该处金属层以隔离相邻像素；填充绝缘材料平坦化后形成N型共电极。器件采用上述方法制造。本申请能够提升有效发光面积比与光提取效率，简化键合前工序，使像素间距减小，提高像素密度。
天眼查资料显示，浙江鸿石光电科技有限公司，成立于2023年，位于湖州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江鸿石光电科技有限公司参与招投标项目2次，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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