北京
IT时代网9月28日消息，高通在年度骁龙峰会上发布新一代旗舰移动芯片骁龙 8 Elite Gen 6 与骁龙 8 Elite Extreme Gen 6。这一代产品把自研 Oryon 架构 CPU 核心频率首次推到 5GHz。
制造与封装是本代最大的变量。高通将旗舰线切换到台积电全新的 2nm 性能工艺 N2P，这是台积电首个 GAAFET 工艺节点，用全环绕栅极结构取代 FinFET。相比以往常规的制程迭代，GAAFET 对 SRAM 缩放与晶体管性能的改善幅度更大，而 SRAM 缓存对移动芯片的能效影响尤为直接。
封装方面，高通改用偏置（offset）的堆叠封装布局：把原本压在 SoC 逻辑裸片正上方的内存裸片移到侧面，不再遮挡 CPU、GPU 这些发热最集中的区域；空出的位置则放上一块均热板，用于压制热点并让整个封装与内存高度保持齐平。
规格上，Elite Gen 6（SM8950）采用 2 颗 Oryon V4 Prime 核心主频 5.0GHz 加 6 颗 Oryon V4 Perf 核心 4.0GHz，配备 Adreno GPU、Hexagon NPU 与 18MB 高带宽内存，内存控制器支持 LPDDR5X 或 LPDDR6。定位更高的 Elite Extreme Gen 6（SM8975）在 GPU 中引入矩阵核心，NPU 增加元素加速器并扩大 50% 共享内存，差异主要体现在功能而非纯性能。
编辑：林一舟
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