北京
国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（四川）有限公司申请一项名为“一种介质薄膜沉积工艺及等离子体处理设备”的专利，公开号CN122811757A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种介质薄膜沉积工艺及等离子体处理设备，至少包含：具有凹陷结构的基片，将基片置于反应腔内；第一沉积步骤：利用CVD工艺，在凹陷结构的侧壁和底部沉积具有第一台阶覆盖率的第一介质层；抑制步骤：向反应腔内通入第一处理气体，对第一介质层的至少部分开口区域进行抑制处理；第二沉积步骤：利用第一脉冲CVD或ALD工艺，在抑制处理后的第一介质层表面沉积具有第二台阶覆盖率的第二介质层；其中，第二台阶覆盖率大于第一台阶覆盖率。在进行厚膜沉积时，既保证了较快的沉积速率，又实现了高台阶覆盖率，同时薄膜质量也得到了提升。
天眼查资料显示，中微半导体设备（四川）有限公司，成立于2025年，位于成都市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（四川）有限公司参与招投标项目25次，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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