北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储器系统”的专利，公开号CN122825428A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件包括：半导体主体、位线结构、位线连接结构以及导电阻挡层。半导体主体沿第一方向延伸，其中，多个半导体主体在第二方向和第三方向上排布；位线结构位于半导体主体在第一方向上的一侧，并沿第二方向延伸；位线连接结构沿第一方向延伸，并具有在第一方向上彼此相对的第一端面和第二端面，第一端面与位线结构连接；导电阻挡层位于位线结构在第一方向上背离半导体主体的一侧，并沿第二方向和第三方向延伸；其中，在第一方向上，第二端面与导电阻挡层靠近位线结构的第一表面之间的距离大于或者等于零；第一方向、第二方向以及第三方向彼此相交。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1495次，财产线索方面有商标信息1034条，专利信息6299条，此外企业还拥有行政许可1243个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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