北京
国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“GaN器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122825464A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种GaN器件结构及其制备方法，包括：在衬底的表面上沉积AlN缓冲层，在第一温度和第一压力下，按脉冲通断方式循环通入氨气，对AlN缓冲层的表面进行第一处理，以提高界面质量；在AlN缓冲层的表面上依次沉积GaN沟道层和AlGaN势垒层，并在AlGaN势垒层的表面上形成栅极结构；在第二温度和第二压力下，依次使用氢自由基和氮自由基，对AlGaN势垒层的露出表面进行第二处理，以提高界面质量；在AlGaN势垒层的表面上沉积AlN钝化层，并将栅极结构覆盖；第一温度大于第二温度，第一压力大于第二压力。本申请能够减少界面缺陷，提高膜层质量，有利于改善器件电学性能。
天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息325条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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