北京
国家知识产权局信息显示，武汉敏芯半导体股份有限公司申请一项名为“半导体激光器和制备方法”的专利，公开号CN122823210A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体激光器和制备方法，半导体激光器，包括：外延层堆叠结构和设置在脊波导，脊波导形成于外延层堆叠结构；其中，脊波导包括两个相对的侧壁，其中一个侧壁与外延层堆叠结构所处的平面方向的夹角为第一夹角，另外一个侧壁与外延层堆叠结构所处的平面方向的夹角为第二夹角，第一夹角与第二夹角的角度的差值大于或等于10°。该半导体激光器可将单模工作脊宽拓宽至6μm以上，器件连续输出功率由传统对称脊波导不足200mW提升至400mW以上，大幅提升功率上限。
天眼查资料显示，武汉敏芯半导体股份有限公司，成立于2017年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6608.7794万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏芯半导体股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息122条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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