北京
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国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN122826985A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明的半导体装置包括：有源区域，其设置于SiC芯片的主面；外周区域，其包围所述有源区域的周围；半导体区域，其包括横跨所述有源区域以及所述外周区域的基极区域、以及至少在所述有源区域中形成于所述基极区域的表层部并具有比所述基极区域高的杂质浓度的帽区域；器件结构物，其包括形成于所述有源区域并形成于所述半导体区域的表层部的第二导电型的主体区域、以及形成于所述主体区域的表层部的第一导电型的源极区域；第二导电型的外阱区域，其在所述外周区域中形成于所述半导体区域的表层部；以及场截止区域，其形成于比所述外阱区域靠外侧，具有比所述基极区域高的杂质浓度，并具有与所述帽区域相同的深度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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