北京
国家知识产权局信息显示，深圳市宏祺芯科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN122825450A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件，属于半导体技术领域，相变存储部的侧壁设置有辅助部，辅助部具有正电卡效应，辅助部及相变存储部均位于第一电极和第二电极之间；当相变存储部处于写入操作时，第一电极和第二电极之间具有电压差，以形成电场，具有正电卡效应的辅助部受到电场作用放热，与第一电极和第二电极产生的焦耳热叠加，共同对相变存储部进行加热升温，从而降低写入功耗，同时还可以降低写入的操作时间；相变存储部的置位阈值电压所对应的电场强度大于辅助部的熵变拐点电场强度，使辅助部在置位写入阶段即可触发正电卡放热效应。
天眼查资料显示，深圳市宏祺芯科技有限责任公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2297.2981万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市宏祺芯科技有限责任公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目5次，专利信息273条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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