北京
国家知识产权局信息显示，瑞森半导体科技（广东）有限公司取得一项名为“沟槽型碳化硅晶体管”的专利，授权公告号CN224805331U，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本实用新型公开了沟槽型碳化硅晶体管，包括管体，还包括导电机构；导电机构：其包括外延层、V型沟槽、绝缘层、栅极和掺杂层一，所述外延层设置于管体的内部，外延层内部的上侧分别设置有V型沟槽，两组V型沟槽的内部均设有绝缘层，两组绝缘层的内部均设置有栅极，掺杂层一分别设置于外延层的上端，掺杂层一分别位于管体内部的前后两侧和两个V型沟槽靠近管体内部中心的一端之间，所述导电机构还包括源极，所述源极设置于管体的上端，两个绝缘层的上端均与源极的下端接触，该沟槽型碳化硅晶体管，减少电场集中现象，解决了因电场集中而导致沟槽型碳化硅晶体管局部击穿和局部过热的问题，提高器件的可靠性和寿命。
天眼查资料显示，瑞森半导体科技（广东）有限公司，成立于2013年，位于东莞市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，瑞森半导体科技（广东）有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息27条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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