国家知识产权局信息显示,东莞新科技术研究开发有限公司申请一项名为“半导体基底的处理方法”的专利,公开号CN122825718A,申请日期为2025年3月。
专利摘要显示,本发明半导体基底的处理方法包括:在半导体基底的表面形成氧化层;在所述氧化层上沉积自组装层;在所述自组装层上形成光刻图案;对所述自组装层进行蚀刻;对所述氧化层进行蚀刻;以及去除所述自组装层的残留。该方法通过结合自组装层、等离子体刻蚀技术,实现对半导体基底的高精度控制,适合各种半导体元器件制造和应用。
天眼查资料显示,东莞新科技术研究开发有限公司,成立于2004年,位于东莞市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1050万美元。通过天眼查大数据分析,东莞新科技术研究开发有限公司参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息764条,此外企业还拥有行政许可43个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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