北京
国家知识产权局信息显示，成都仕芯半导体有限公司取得一项名为“双向温度补偿偏置电路及具有双向温度补偿的衰减器”的专利，授权公告号CN224804920U，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本实用新型公开了双向温度补偿偏置电路及具有双向温度补偿的衰减器，涉及射频衰减器领域，所述偏置电路包括：第一温度补偿通路，所述第一温度补偿通路的一端连接至电压源，另一端接地，用于提供与温度成正相关关系的第一分压电压；第二温度补偿通路，所述第二温度补偿通路与所述第一温度补偿通路并联在电压源与地之间，用于提供与温度成反相关关系的第二分压电压。本方案包含两条并联温度补偿通路的偏置电路，能够从一个电压源稳定地产生两个具有高精度互补特性的偏置电压。本设计从根本上解决了传统单一补偿方案无法进行双向、协同补偿的技术难题，使得补偿范围更宽、线性度更好、精度更高。
天眼查资料显示，成都仕芯半导体有限公司，成立于2017年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5025.1256万人民币。通过天眼查大数据分析，成都仕芯半导体有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息29条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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