北京
国家知识产权局信息显示，广东天域半导体股份有限公司申请一项名为“基于双通道散射光的键合晶圆缺陷检测方法及系统”的专利，公开号CN122814541A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开一种基于双通道散射光的键合晶圆缺陷检测方法及系统，该方法包括：采用入射光以倾斜角度照射待检测的键合晶圆；基于键合晶圆上不同缺陷作用后产生的散射光相对入射光光路的空间位置差异，利用光学系统将散射光中散射角度较小的第一散射光与散射角度较大的第二散射光分别导向不同的接收端进行采集；获取接收端采集到的第一散射光的第一强度与第二散射光的第二强度；基于第一强度与第二强度，计算反映两者相对强弱关系的特征参量；根据特征参量判定键合晶圆的缺陷类型。上述方法，实现了对键合界面孔洞与表层凹坑等不同缺陷类型的高精度、无伪影判定，显著降低了晶圆检测的误报率与漏检率。
天眼查资料显示，广东天域半导体股份有限公司，成立于2009年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本39326.8511万人民币。通过天眼查大数据分析，广东天域半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目124次，财产线索方面有商标信息43条，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可83个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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