北京
国家知识产权局信息显示，宁波馨源电子有限公司取得一项名为“一种具有覆膜结构的熔断器”的专利，授权公告号CN224803879U，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本实用新型涉及熔断器技术领域，公开了一种具有覆膜结构的熔断器，包括第一导电板和第二导电板，所述第一导电板的右侧设置有第一夹座，所述第二导电板的左侧设置有第二夹座，所述第一夹座的外侧设置有快速覆膜结构，通过设置有第一限位槽、第一密封圈、第二限位槽和第二密封圈，使用时，通过选择耐高温、绝缘或防腐蚀的薄膜材料，通过粘贴、热压或喷涂的方式，直接附着在熔断器外壳的外表面，手动推动第一密封圈和第二密封圈，第一密封圈在第一限位槽内部向右活动，第二密封圈在第二限位槽内部向左活动，第一密封圈和第二密封圈压在薄膜材料外侧，能显著提升薄膜附着力，同时兼具密封防护和灵活维护的优势，完美解决薄膜易脱落的痛点。
天眼查资料显示，宁波馨源电子有限公司，成立于1996年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1800万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波馨源电子有限公司参与招投标项目1次，专利信息14条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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