北京
国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“一种HEMT器件散热结构及其制备方法”的专利，公开号CN122825824A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种HEMT器件散热结构，包括HEMT器件，所述HEMT器件包括沿外延方向依次层叠设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN层；所述衬底的第一表面设有多个以预定间距设置的纳米孔道，所述纳米孔道贯穿所述GaN缓冲层，并延伸至所述GaN沟道层内，位于所述GaN缓冲层和GaN沟道层的纳米孔道内填充有第一散热颗粒；所述衬底的内部设有微柱孔道，所述微柱孔道贯穿所述衬底，并与所述纳米孔道连通，所述微柱孔道内填充有第二散热颗粒；所述衬底的第二表面键合有导热金属层，所述导热金属层能够与所述第二散热颗粒接触。本发明具有良好的散热效果，有效降低器件的工作结温。
天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目543次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息462条，此外企业还拥有行政许可28个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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