北京
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122825431A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，至少有利于提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括：有源部、字线结构、导电屏蔽部、位线结构和电容结构，多个有源部沿第一方向依次间隔设置，沿第一方向上相邻的有源部之间具有第一间隔区或者第二间隔区，有源部包括沿第二方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；字线结构沿第三方向延伸且位于沟道区朝向第一间隔区的一侧；导电屏蔽部沿第三方向延伸且位于第二间隔区且与有源部相间隔；位线结构沿第一方向延伸且与多个有源部的第一掺杂区电接触；电容结构沿第二方向延伸且与有源部的第二掺杂区电接触。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1088次，财产线索方面有商标信息287条，专利信息718条，此外企业还拥有行政许可44个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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