晶合集成取得对准标记相关专利，该方案适配现有条件，形成大尺寸对准标记

来源：新浪证券-红岸工作室

9月25日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺”的专利，授权公告号CN122431066B，授权公告日为2026年9月22日。申请公布号为CN122431066A，申请号为CN202610902754.9，申请公布日期为2026年9月22日，申请日期为2026年6月23日，发明人张传稳、陈晓妍、於飞飞，专利代理机构上海思微知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师赵素香，分类号G03F9/00。

专利摘要显示，本发明提供一种曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺，先对目标对准标记进行切分，目标对准标记被切分为至少两个部分标记，每个部分标记的长度不大于所述切割道的宽度；再对每个部分标记进行处理以符合掩模板设计规则，并将处理后的部分标记布置于掩模板的不同区域；接着，执行至少两次曝光工艺，将至少两个部分标记转移至晶圆的切割道上，所述至少两个部分标记共同构成对准标记。本发明意想不到的效果是，在不改变现有晶圆的切割道尺寸以及现有其他掩模板布局的情况下，满足设计需求，并利用光刻的特点通过曝光场切割道至少双次曝光后形成完整大尺寸对准标记，以满足对曝光场间大尺寸对位对准标记的需求。

作为中国大陆领先的专注于晶圆代工的制造企业，晶合集成深耕显示驱动芯片等特色工艺领域，具备差异化技术优势。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日登陆上海证券交易所，注册地为安徽省合肥市，办公地覆盖安徽省合肥市与香港特别行政区。

晶合集成隶属于申万行业电子-半导体-集成电路制造赛道，核心主营业务为12英寸晶圆代工，聚焦先进工艺的研发与落地，可向客户提供覆盖多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，当前归属于中盘股、大盘、大盘价值概念板块。

2026年上半年，晶合集成实现营业收入59.57亿元，在6家同行业可比企业中排名第4，当期行业营收第一名中芯国际为386.35亿元、第二名华虹宏力为95.74亿元，行业营收平均数为108.39亿元、中位数为60.43亿元；营收结构中，集成电路业务贡献57.66亿元，占比96.80%，其他补充业务收入1.91亿元，占比3.20%。同期公司实现净利润2.22亿元，同样在6家同行业可比企业中排名第4，当期行业净利润第一名中芯国际为64.39亿元、第二名赛微电子为26.75亿元，行业净利润平均数为16.56亿元、中位数为4.44亿元。

指标类别具体指标晶合集成当期数值行业排名/总家数行业头部企业数值行业平均数值行业中位数数值营收表现2026年上半年营业收入59.57亿元4/6中芯国际386.35亿元、华虹宏力95.74亿元108.39亿元60.43亿元营收结构集成电路业务收入及占比57.66亿元，占比96.80%营收结构其他补充业务收入及占比1.91亿元，占比3.20%利润表现2026年上半年净利润2.22亿元4/6中芯国际64.39亿元、赛微电子26.75亿元16.56亿元4.44亿元

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202611272523.02026-08-21CN122784077A2026-09-18康绍磊、陈东2图像传感器及图像传感器制备方法发明专利公布CN202611274636.42026-08-21CN122803420A2026-09-22陈维邦3图像传感器及其制备方法发明专利公布CN202611274872.62026-08-21CN122803411A2026-09-22陈维邦4图像传感器及图像传感器制备方法发明专利公布CN202611273876.22026-08-21CN122803419A2026-09-22陈维邦5晶圆显影的智能调控方法及装置发明专利公布CN202611273346.82026-08-21CN122794750A2026-09-22刘星、杨学人6图像传感器及其制备方法发明专利公布CN202611273461.52026-08-21CN122803418A2026-09-22陈维邦7半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202611250464.72026-08-18CN122803372A2026-09-22宋富冉8半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202611250580.92026-08-18CN122803373A2026-09-22宋富冉9半导体器件的制造工艺优化方法和半导体器件发明专利公布CN202611249888.12026-08-18CN122797243A2026-09-22李佛富、鄢志忠、李璐、叶凡10改善硅阻挡氧化层损伤的形成方法、半导体结构及器件发明专利公布CN202611239556.52026-08-17CN122784323A2026-09-18牛苗苗、邓帅、高志杰11金属互连结构的制备方法、半导体结构及电子设备发明专利公布CN202611232783.52026-08-14CN122784401A2026-09-18刘苏涛、运广涛12量测标记结构发明专利公布CN202611234854.52026-08-14CN122803718A2026-09-22曾炜炜、赵志豪、潘黎、吴建宏13基于多层级容量约束与距离优化的机台组件配点方法发明专利公布CN202611222703.82026-08-13CN122735168A2026-09-11谭柳娟、严倩倩、李佳蓓、王思民、徐东东、陈尚剑14多类型SRAM芯片版图优化方法和系统发明专利公布CN202611223347.12026-08-13CN122735631A2026-09-11杨杰、郭廷晃15半导体设备选位方法、装置、设备、介质及产品发明专利公布CN202611222704.22026-08-13CN122736055A2026-09-11李佳蓓、陈尚剑、严倩倩、谭柳娟、王思民、徐东东16半导体结构及其形成方法发明专利公布CN202611219240.X2026-08-12CN122719148A2026-09-08杨少华、杨刚17一种光刻胶参数设置方法、光刻胶涂布方法及相关装置发明专利公布CN202611216064.42026-08-12CN122755338A2026-09-15赵志豪、沈俊明、李海峰、吴建宏18一种离子注入层修正方法发明专利公布CN202611208374.12026-08-11CN122710452A2026-09-08殷诗淇、罗招龙、王康、王绍天19蚀刻方法、氧化还原缓冲剂、芯片发明专利公布CN202611211690.42026-08-11CN122719370A2026-09-08张雷、倪波、刘仁平20光刻胶量测监控方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202611202184.92026-08-10CN122694892A2026-09-04王明、庄修博、林今焕21优化中压器件栅氧化层厚度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611192301.82026-08-07CN122699370A2026-09-04王雅洁、叶家明、郑行威、张琳琳、祝进专22半导体结构及其制备方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611184516.52026-08-06CN122699615A2026-09-04马梦辉、李琦琦、刘洋23提高微小划痕区分度的缺陷自动分类方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202611176340.92026-08-05CN122675867A2026-09-01崔恒丽、张利强、马春雨、李佛富、林今焕24一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611176742.92026-08-05CN122679713A2026-09-01陈维邦25一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611176741.42026-08-05CN122699414A2026-09-04陈维邦26一种静态随机存储器芯粒的失效分析方法及分析系统发明专利实质审查的生效、公布CN202611169657.X2026-08-04CN122676895A2026-09-01张翼、储浩、丁敬祖、马学杨、邢佳乐27半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611171309.62026-08-04CN122699348A2026-09-04张盖、陈有德、王雪、南子昱28一种通孔底部缺陷的检测方法发明专利公布CN202611171267.62026-08-04CN122719425A2026-09-08聂方园、林今焕29晶体管制备方法、晶体管及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611164387.32026-08-03CN122662269A2026-08-28张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪30半导体测试结构及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611150791.52026-07-31CN122652240A2026-08-28马盟、鲍丙辉、李倩娣31一种Fin FET器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611147204.72026-07-30CN122662243A2026-08-28李猛猛、唐鹏飞、魏巍32一种校正方法、计算机可读存储介质及光刻机发明专利实质审查的生效、公布CN202611141368.92026-07-30CN122652910A2026-08-28李海峰、赵志豪、张祥平、黄玉33基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202611132347.02026-07-29CN122637020A2026-08-25刘苑、查乐、田姿璘34量测标记识别方法、装置、计算机设备、可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202611122711.52026-07-28CN122675852A2026-09-01朱海龙35半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611116631.92026-07-27CN122641036A2026-08-25张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺36一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202611115006.22026-07-27CN122637856A2026-08-25田志锋37基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202611100269.62026-07-23CN122616744A2026-08-21崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕38半导体器件的形成方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202611088837.52026-07-22CN122622329A2026-08-21王淑娜、宋富冉、刘乃硕39半导体结构制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202611091082.42026-07-22CN122622285A2026-08-21胡一凡40半导体器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611090819.02026-07-22CN122622310A2026-08-21刘洋、李琦琦、祝君龙41半导体结构及其制造工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202611081378.82026-07-21CN122602483A2026-08-18宋富冉、周儒领42半导体多膜层结构的厚度测量方法、系统及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611062918.82026-07-17CN122590735A2026-08-18朱海龙、罗承先43埋入式栅极结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611065450.82026-07-17CN122602562A2026-08-18江珂、林祐丞、杨智强44半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611057378.42026-07-16CN122579645A2026-08-14刘苏涛45离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611022452.92026-07-10CN122535230A2026-08-07夏陈红、程挚46对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016741.82026-07-09CN122535209A2026-08-07毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏47光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016093.62026-07-09CN122525844A2026-08-07赵广、罗招龙48半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质发明专利实质审查的生效、公布CN202611016172.72026-07-09CN122596837A2026-08-18卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌49半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611009342.92026-07-08CN122510972A2026-08-04毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定50半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000593.02026-07-07CN122514031A2026-08-04刘苏涛