北京
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三星电子调整下一代DRAM开发路线，将原以项目推进的“B1b”技术纳入正式路线图并命名为“D0a”，定位首款10纳米以下（nm）DRAM。早期D0a指垂直晶体管（VCT）DRAM，后VCT归入“D0a-V”；更名旨在加速先进封装技术进入通用DRAM。
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本文源自：市场资讯
作者：知叙
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