宏微科技申请功率模块相关专利，提升功率模块良率、散热性与可靠性

来源：新浪证券-红岸工作室

9月24日消息，国家知识产权局信息显示，江苏宏微科技股份有限公司申请一项名为“功率芯片嵌入PCB式功率模块及其制备方法”的专利。申请公布号为CN122803175A，申请号为CN202610915960.3，申请公布日期为2026年9月22日，申请日期为2026年6月24日，发明人张帅帅、石彩云、张海泉、戚丽娜、赵善麒，专利代理机构南京中高专利代理有限公司，专利代理师金啸，分类号H05K1/185、H05K1/03、H05K1/02、H05K3/46、H05K1/11、H10W70/08、H10W70/65、H10W70/652。

专利摘要显示，本发明属于技术领域，具体涉及一种功率芯片嵌入PCB式功率模块及其制备方法。本发明的功率芯片嵌入PCB式功率模块通过将陶瓷覆铜基板提前塑封形成塑封体后再嵌入芯板的嵌入孔中，仅需要对塑封体整体与嵌入孔之间的间隙进行填充，大幅减少了环氧树脂填充量，简化了PCB加工工艺，降低了空洞、填充不满等工艺问题出现的概率，提升了产品平整度与良率。同时塑封料对内部的陶瓷层有一定的保护作用，避免陶瓷层直接裸露在外，降低陶瓷层内部应力，降低陶瓷层开裂风险。同时本发明中陶瓷覆铜基板的下覆铜层下表面直接外露于嵌入孔，无需在底层额外压合PCB材料层，既降低了整体热阻，提升散热效率，又减少了PCB材料与陶瓷覆铜基板之间因热膨胀系数不匹配产生的循环热应力，避免了陶瓷层因应力开裂引发的绝缘失效问题，提升了产品的使用寿命与可靠性。

宏微科技是国内IGBT领域领先的专精特新企业，专注功率半导体全产业链布局，技术壁垒突出。公司成立于2006年8月18日，2021年9月1日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均位于江苏省常州市。

公司主营业务为IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-分立器件，同时覆盖功率半导体、专精特新、汽车芯片三大热门概念板块。

2026年上半年，宏微科技实现营业收入7.38亿元，在18家同行业企业中排名第10，低于行业平均数14.07亿元与行业中位数8.32亿元，同期行业营收前两位分别为士兰微72.62亿元、扬杰科技45.15亿元；营收结构中模块(封装)贡献5.83亿元占比79.02%，单管(封装)贡献1.29亿元占比17.48%，受托加工业务贡献1546.87万元占比2.10%，其余芯片、其他类业务分别占比0.81%、0.59%。当期公司净利润为-354.82万元，在18家同行业企业中排名第14，远低于行业平均数9942.33万元与行业中位数5390.72万元，同期行业净利润前两位分别为扬杰科技7.57亿元、源杰科技6.07亿元。

指标类别具体指标宏微科技当期数值行业对比情况营收表现2026年上半年营业收入7.38亿元，行业排名10/18行业均值14.07亿元、中位数8.32亿元，头部士兰微、扬杰科技分别达72.62亿元、45.15亿元营收结构模块(封装)营收及占比5.83亿元，占比79.02%营收结构单管(封装)营收及占比1.29亿元，占比17.48%营收结构受托加工业务营收及占比1546.87万元，占比2.10%营收结构芯片业务营收及占比599.75万元，占比0.81%营收结构其他业务营收及占比436.93万元，占比0.59%利润表现2026年上半年净利润-354.82万元，行业排名14/18行业均值9942.33万元、中位数5390.72万元，头部扬杰科技、源杰科技分别达7.57亿元、6.07亿元

江苏宏微科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1T型三电平功率单元及功率模块发明专利公布CN202611191678.12026-08-07CN122740637A2026-09-11岳扬、周祥、张海泉、赵善麒2功率芯片嵌入PCB式功率模块及其制备方法发明专利公布CN202610915960.32026-06-24CN122803175A2026-09-22张帅帅、石彩云、张海泉、戚丽娜、赵善麒3功率器件栅极电阻结构、功率器件及功率模块的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610435572.52026-04-03CN122318221A2026-06-30井亚会、周昕、戚丽娜、高鹏、李想、曹安琪、崔崧、赵善麒4沟槽栅SiC MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610378472.32026-03-26CN122269742A2026-06-23韩小朋、张景超、戴天祥、马雨鑫、井亚会、戚丽娜、崔崧、赵善麒5平面栅SiC MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610378473.82026-03-26CN122269754A2026-06-23韩小朋、张景超、戴天祥、马雨鑫、井亚会、戚丽娜、崔崧、赵善麒6基于多物理场耦合的功率器件寿命预测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610357330.92026-03-23CN122242420A2026-06-19陈丰野、王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒7功率半导体模块（GCB-1C）外观专利授权CN202630045679.X2026-01-28CN310095725S2026-07-17周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒8功率半导体模块（GCE-2C）外观专利授权CN202630046481.32026-01-28CN310135652S2026-08-07周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒9IGBT器件及其制备方法发明专利公布CN202511904173.02025-12-17CN121692683A2026-03-17张永旺、井亚会、高鹏、戚丽娜、崔崧、赵善麒10功率半导体模块外观专利授权CN202530700604.62025-11-27CN309993166S2026-05-22张潮、周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒11高散热功率半导体模块及模块连接组件发明专利实质审查的生效、公布CN202511734929.12025-11-25CN121215634A2025-12-26陈超、张海泉、崔崧、赵善麒12非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511734931.92025-11-25CN121510617A2026-02-10崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥13功率半导体模块外观专利授权CN202530653483.42025-11-06CN310170179S2026-08-25张潮、周祥、于冠勇、张海泉、崔崧、赵善麒14分离栅IGBT结构及其栅极驱动电路发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511478844.12025-10-16CN121335120A2026-01-13井亚会、赵善麒、戚丽娜、崔崧、胡爱斌15SiC MOSFET器件及其制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511435164.12025-10-09CN121368145A2026-01-20崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥16一种功率模块底板的曲面设计方法发明专利授权CN202511378033.42025-09-25CN120850622B2026-01-23周文科、郑军、张海泉、崔崧、赵善麒17SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511366576.42025-09-24CN121194488A2025-12-23戴天祥、张景超、戚丽娜、崔崧、赵善麒18具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511015501.12025-07-23CN120857555A2025-10-28刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒19功率半导体模块液冷散热板及散热模块实用新型授权CN202521437765.12025-07-10CN224653990U2026-08-18徐永哲、岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒20高压快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510867630.72025-06-26CN120659342A2025-09-16林茂、黄郭铖、戚丽娜、崔崧、赵善麒21功率模块实用新型授权CN202521284708.42025-06-23CN224368304U2026-06-16林杰、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒22功率半导体模块外观专利授权CN202530339051.62025-06-13CN309784733S2026-02-10周祥、张潮、岳扬、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒23栅极开通、关断电阻独立控制的功率模块实用新型授权CN202521206897.32025-06-13CN224343169U2026-06-09李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒24芯片级封装体以及低热阻功率模块实用新型授权CN202521209105.82025-06-13CN224521637U2026-07-17林杰、刘帅帅、艾书博、张海泉、崔崧、赵善麒25SiC MOSFET功率模块实用新型授权CN202521148578.12025-06-06CN224165048U2026-04-24於正新、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒26可拆卸式功率模块烧结压头实用新型授权CN202521150628.X2025-06-06CN224178565U2026-04-28岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒27高耐压垂直型GaN基MOSFET器件发明专利专利申请权、专利权的转移、实质审查的生效、公布CN202510439355.92025-04-09CN120302688A2025-07-11刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒28一种半桥封装的单管结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510373732.32025-03-27CN120300088A2025-07-11井亚会、周昕、戚丽娜、崔崧、赵善麒29栅极电阻调节结构及功率模块发明专利实质审查的生效、公布CN202510289589.X2025-03-12CN120148994A2025-06-13李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒30二合一功率半导体模块及动力系统实用新型授权CN202520321070.02025-02-26CN223942585U2026-02-24张有诚、张斌、李紫怡、张海泉、崔崧、赵善麒31快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510073708.82025-01-17CN119947135A2025-05-06黄郭铖、林茂、戚丽娜、崔崧、赵善麒32防硫化的功率模块发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510067300.X2025-01-16CN119650520A2025-03-18石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒33防硫化的功率模块实用新型授权CN202520109221.62025-01-16CN223859674U2026-01-30石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒34功率半导体模块外观专利授权CN202530021859.X2025-01-14CN309455955S2025-08-22张潮、周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒35一种抗辐照SiC功率MOSFET器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411951406.82024-12-27CN119730329A2025-03-28林茂、戚丽娜、张景超、赵善麒36一种多芯片并联碳化硅功率模块实用新型授权CN202423266380.12024-12-27CN223993838U2026-03-13徐永哲、岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒37一种新型分体式压接Pin针结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411921373.22024-12-25CN119764894A2025-04-04周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒38一种新型分体式压接Pin针结构实用新型授权CN202423205726.72024-12-25CN223729048U2025-12-26周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒39一种改进HD-GIT结构的HEMT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411910704.22024-12-24CN119866051A2025-04-22刘毅、崔崧、戚丽娜、赵善麒40一种功率模块液冷散热结构实用新型授权CN202423155976.42024-12-20CN223786523U2026-01-09岳扬、张海泉、赵善麒41一种功率器件高温反偏试验温度确定方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411767125.72024-12-04CN119716444A2025-03-28王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒42一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411623029.52024-11-14CN119314959A2025-01-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒43功率半导体模块外观专利授权CN202430721701.92024-11-14CN309468123S2025-08-29周祥、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒44一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构实用新型授权CN202422773492.X2024-11-14CN223552530U2025-11-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒45一种适配于三电平功率模块动态测试的插接夹具实用新型授权CN202422603927.62024-10-28CN223551760U2025-11-14王天赐、吴云、王群、王鑫、崔崧、赵善麒46一种功率模块及其设计方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411502153.62024-10-25CN119486240A2025-02-18林杰、刘帅帅、张海泉、赵善麒47一种SiC功率MOSFET器件和制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411343366.92024-09-25CN119364816A2025-01-24张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒48一种SiC功率MOSFET器件实用新型授权CN202422343705.52024-09-25CN223379519U2025-09-23张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒49由半导体分立器件背面进行失效定位的方法发明专利公布CN202411072071.22024-08-06CN119001387A2024-11-22吴云、王群、王天赐、查林晨、徐楠、崔崧、赵善麒50一种功率模块用的散热基板发明专利实质审查的生效、公布CN202410815656.22024-06-24CN118571851A2024-08-30石彩云、周祥