北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“沟槽栅制造方法”的专利，公开号CN122803358A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅制造方法，包括以下步骤：1）在生长有栅氧化层的沟槽内沉积硅原子并同步进行N型掺杂，形成掺杂多晶硅层；2）对所述掺杂多晶硅层进行退火处理，激活掺杂杂质；3）根据栅极电阻目标值，选择性对沟槽顶部的掺杂多晶硅层进行预刻蚀；4）向预刻蚀后的沟槽内引入N型杂质源，进行再掺杂；5）根据栅极电阻目标值，对再掺杂后的多晶硅进行退火处理，激活再掺杂杂质；6）通过回刻工艺去除沟槽外多余多晶硅，形成沟槽栅。本发明能定向调控栅极电阻，提升 Rg 面内均一性，提高产品良率。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目949次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7965条，此外企业还拥有行政许可465个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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