北京
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国家知识产权局信息显示，苏州湃矽科技有限公司、新加坡湃矽科技有限公司申请一项名为“光电探测器”的专利，公开号CN122803456A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种光电探测器，其包括衬底、波导层、吸收层、第一掺杂区、第二掺杂区、入射光波导、下接触电极和上接触电极。所述入射光波导连接于波导层的一侧，下接触电极与第一掺杂区相连，上接触电极与第二掺杂区相连，所述上接触电极包括至少三个相互连接的上接触电极，所述至少三个上接触电极的延伸方向与由入射光波导进入吸收层的光的传播方向一致，所述至少三个上接触电极分布于吸收层内形成的光场的周围。所述吸收层临近入射光波导的位置与波导层形成有一条交界线，所述入射光波导的延伸方向相对于交界线倾斜。本发明光电探测器具有低回损、高响应度的性能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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