北京
国家知识产权局信息显示，湖北优炜芯科技有限公司申请一项名为“硅Delta掺杂势垒的深紫外发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN122803463A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供了一种硅Delta掺杂势垒的深紫外发光二极管及其制备方法，上述深紫外发光二极管通过在势垒层中引入硅Delta掺杂结构，可充当静电势垒有效阻挡电子向p型区溢出、降低非辐射复合损耗，显著提升空穴注入效率并改善载流子注入平衡；同时利用Delta掺杂产生的局域自由电子屏蔽AlGaN异质界面极化电荷，减弱量子限制斯塔克效应，缩小电子‑空穴波函数空间分离程度，有效提升辐射复合几率与内量子效率；同时，本发明采用局域界面式Delta掺杂可大幅降低掺杂引发的晶格应变与点缺陷生成，保持多量子阱有源区优异的晶体完整性，从载流子调控、极化抑制与晶体质量保障多方面综合提升深紫外发光二极管的整体光电性能。
天眼查资料显示，湖北优炜芯科技有限公司，成立于2021年，位于鄂州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北优炜芯科技有限公司参与招投标项目10次，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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