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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法”的专利，公开号CN122803287A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明的实施方式涉及半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。一实施方式的半导体存储装置具有基板和第一晶体管。所述第一晶体管具有：第一栅极绝缘膜，其至少一部分面向第一扩散区域与第二扩散区域之间的区域；以及第一栅极电极，其相对于所述第一栅极绝缘膜位于与所述基板相反的一侧。所述第一栅极电极具有第一导电层、第一绝缘层和第二导电层。所述第一绝缘层设置在所述第一导电层的一部分的表面上。所述第二导电层具有：在从作为所述基板的厚度方向的第一方向观察的情况下，与所述第一绝缘层重叠的第一部分、和设置于从所述第一绝缘层偏离的位置并与所述第一导电层重叠的第二部分，并且所述第二导电层连接到所述第一导电层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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