北京
国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子股份有限公司申请一项名为“一种光电探测器及其制备方法”的专利，公开号CN122803455A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体光电通信技术领域，本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，包括光电转换结构和与光电转换结构连通的电极；光电转换结构包括硅波导和Ge吸收区域，两个硅波导设置于Ge吸收区域两侧；硅波导包括依次连接的弯曲区域和锥形区域，锥形区域的宽度沿光传播方向线性缩小；两个硅波导锥形区域的小头一端与Ge吸收区域一端平齐设置于Ge吸收区域两侧。制备方法包括波导刻蚀、顶层硅掺杂、Ge吸收区域制备和电极制备等步骤，得到本申请的双侧模式演化耦合光电探测器。本申请的双侧模式演化耦合光电探测器能够改善光场均匀性，增加耦合效率，制备得到带宽更大、线性度更高的光电探测器。
天眼查资料显示，北京燕东微电子股份有限公司，成立于1987年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本142761.8097万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目174次，财产线索方面有商标信息24条，专利信息163条，此外企业还拥有行政许可9个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
