北京
国家知识产权局信息显示，洪启集成电路（珠海）有限公司申请一项名为“一种超薄SiO2膜层氮元素深度分布的磁扇式二次离子质谱分析方法”的专利，公开号CN122793831A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及一种超薄SiO2膜层氮元素深度分布的磁扇式二次离子质谱分析方法，包括以下步骤：提供待测样品，所述待测样品包括基底以及位于所述基底上的超薄SiO2膜层；采用磁扇式二次离子质谱仪对所述待测样品进行分析，获取所述超薄SiO2膜层中氮元素的深度分布信息；其中，所述磁扇式二次离子质谱仪的分析条件包括：一次离子源为O2+，一次离子能量为1-5keV，一次离子束流为10-50nA，分析区域为50×50μm2-100×100μm2，溅射速率控制在0.1-0.5nm/s。本发明的方法能够实现对超薄SiO2膜层中氮元素深度分布的准确分析，具有分析灵敏度高、深度分辨率好、定量准确性高的优点。
天眼查资料显示，洪启集成电路（珠海）有限公司，成立于2019年，位于珠海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本142.7452万人民币。通过天眼查大数据分析，洪启集成电路（珠海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可23个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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