北京
国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、半导体器件”的专利，公开号CN122803330A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。该半导体结构包括衬底、晶体管、氢隔离层和刻蚀停止层。晶体管位于衬底的一侧，包括位于衬底内的有源区和在垂直衬底的第一方向上位于有源区一侧的栅极结构；氢隔离层位于晶体管背离衬底的一侧，覆盖有源区和栅极结构；刻蚀停止层位于氢隔离层背离晶体管的一侧，覆盖氢隔离层。本申请能够有效改善热载流子注入（Hot Carrier Inject，简称HCI）效应，有利于提高器件可靠性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1707499.4119万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2156次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1443条，此外企业还拥有行政许可208个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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