北京
国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种提高器件响应速度的LED外延片及其制备方法、LED芯片”的专利，公开号CN122803469A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提高器件响应速度的LED外延片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延片包括衬底，以及依次层叠于衬底之上的缓冲层、三维生长GaN层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层与p型掺杂GaN层；其中，应力释放层为周期性超晶格结构，每一周期包括依次层叠的AlN层、组分渐变AlGaN层与GaN层，组分渐变AlGaN层中Al组分沿外延生长方向由靠近AlN层一侧的100%渐变至靠近GaN层一侧的0。本发明采用AlN/组分渐变AlGaN/GaN超晶格结构作为应力释放层，可大幅降低V‑pits密度，减少有源区缺陷与电子溢流，抑制非辐射复合，在高电流密度下同时提升Micro‑LED的调制带宽与发光效率，适配高速光通讯应用需求。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1778条，此外企业还拥有行政许可62个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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