美芯片专家：对华出口管制很有效，可一旦让中企解决EUV问题，中国会成为全球最大的先进芯片生产国之一

前沿导读

据快科技指出，《Chip War》（芯片战争）作者、美国塔夫茨大学副教授克里斯·米勒在最新的采访中表示美国对华启动的芯片出口管制高度有效，台积电已经占据全球约95%的高端ai芯片产能，而中国企业由于无法获得EUV光刻机，只能采用DUV光刻机制造先进芯片，这导致数量和成本没有优势。

如果美国此前允许ASML向中国企业交付EUV光刻机，那么现在的格局会大不相同，中国会成为全球最大的高端芯片生产国之一。

技术限制

米勒多年前撰写的《Chip War》一经发售就在国际上引起极高关注度，并且这本书也被我国中纪委网站在2023年推荐阅读。

据书中内容表示，ASML本来只是一个位于荷兰的芯片设备制造商，但是随着中美企业在芯片领域的竞争，这家一直在幕后工作的企业被推上了风口浪尖。

西方认为，中国企业一直处于美国建立的科技生态上发展技术，并且开始在国际市场上与美国企业展开竞争。

这让西方的某些群体认为这种模式在无形当中为自己缔造了一个强大的竞争对手，所以美国要对中国半导体产业实施制裁限制，禁止中国企业继续采用美国的技术产品发展尖端芯片。

对台积电进行限制，禁止其为中国大陆地区的芯片设计公司代工部分先进芯片产品和算力芯片。

而后续在制造设备上实施出口管制，则是打算压制中国本土制造技术的发展，堵死中国企业采用国产工艺制造先进芯片的途径。

拥有13.5nm曝光波长的EUV光刻机是行业内普遍认为发展7nm及以下先进工艺芯片的必要设备，而中国企业也在2018年与ASML签订了采购协议，但是这台设备后续被美国列入瓦森纳协议中，所以一直到现在都处于被禁运的状态。

尽管EUV无法获取，但中国企业还可以继续采购DUV设备制造芯片。

DUV光刻机虽然是制造成熟芯片的主力设备，但是也可通过多重图案化技术实现7nm芯片的制造。台积电的第一代7nm工艺（N7），就是采用这种方法实现的量产。

多重图案化技术就相当于在一页书上下两段内容的夹缝处继续书写文字，在有限的空间内塞入更多的内容。

夹缝文字的工整度、字体大小、清晰程度都有很高的标准要求，一旦出现错误，不但影响夹缝文字，还会影响上下两层已经书写好的文字内容。

相比起EUV这种一次曝光就可以写出密集小字的设备，DUV想要实现与EUV类似的技术效果，需要付出更高的经济代价。

制造工艺变多，步骤变复杂所带来的问题的就是良率变低，成本上升。

想要制造更多的芯片，要么使用更先进的设备，要么就通过不断的试错来吸取技术经验，一步步优化技术提升效率，这必然又是一个需要投入大规模资源才能解决的问题。

市场格局

台积电制造了全球约95%的先进ai芯片，这个优势是巨大的，背后不但有ASML和其他顶级设备供应商的支持，还有大量的高价值商业订单支撑台积电持续提升制程技术。

EUV光刻机不是万能的设备，三星用EUV光刻机制造的5nm芯片，放在手机上的使用体验都不如台积电7nm芯片。有了设备之后，剩下就是比拼资本开支、客户验证以及规模经济。

米勒在采访中指出，半导体产业的投资和创新正从手机、PC转向数据中心、AI芯片架构和先进封装。中国的先进封装技术可以用成熟制程和Chiplet（芯粒）整合出高带宽组合，在部分产品上绕过先进制程的限制，不过ai产业封装所需的HBM存储芯片仍然集中于韩国和美国厂商手中。

14nm或7nm的芯粒技术，可以用先进封装进行互联，在特定推理、推荐系统、边缘训练场景的情况下接近更加先进的单芯片。但是在HBM领域，韩国和美国企业占主导地位，这让中国ai产业的先进封装技术出现缺口。

HBM3E、最新的HBM4，都需要用到EUV光刻机制造内部的核心关键层，而EUV又是被美国严格管控的设备，这也就导致了中国存储企业在开发HBM技术上很吃力，需要继续采用成本较高的DUV技术制造产品，或者是通过3D堆叠以及混合键合的方法缓解对于EUV技术的需求压力。

EUV光刻机、HBM内存、ai产业的先进封装，这是中国半导体产业正在追赶的三大难题。

先进封装需要HBM内存，制造HBM内存需要EUV光刻机。由此可以看出，最前端的光刻机依然是中国半导体产业无法绕开的技术设备。

尽管行业内正在通过其他技术方法降低对EUV技术的依赖，但是目前这些技术都处于开发阶段，并未真正实现大规模的商业化量产，解决设备问题依然是重中之重。只要解决了先进设备的问题，剩下的HBM和先进封装环节就自然减轻了技术压力。

中国芯片已经成为了全球成熟制程的重要支撑点，其全球产能占比达到了30%。一旦实现先进制程的稳定国产化制造，下面就是跟成熟芯片一样进行规模化应用，从成熟芯片大国迈向先进芯片大国。