银河微电斥资10.78亿元投建高端器件产线 瞄准小信号器件、功率器件等产能缺口

来源：财联社

《科创板日报》9月21日讯（记者 陈俊清） 银河微电今日（9月21日）晚间发布公告称，公司拟以自有或自筹资金10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。项目建设周期为3年，预计开工时间为 2027年1月1日。

银河微电表示，当前国内相关产品供给仍有提升空间，公司现有产能主要面向常规产品，相关产能存在一定缺口。本项目将实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化量产，有助于补充公司相关产能，提升相关产品供给能力。

《科创板日报》记者注意到，该项目系公司此前披露的“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续与产业化落地环节。前置项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施，本项目将在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。

产品定位上，项目聚焦采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构的高端功率分立器件与第三代半导体器件，覆盖SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等核心品类，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。所有产品均通过AEC-Q101等高可靠性认证，具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命等特性，主要面向新能源汽车、储能、工业控制等高门槛应用场景。

投资方面，项目总投资估算约10.78亿元，将按照整体规划，并根据市场情况、客户导入及产能消化进度等分阶段、分批投入。建设内容包括厂房车间装修、生产设备及配套设备购置、新产线搭建等，最终实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等升级产品的落地量产。

作为国内半导体分立器件领域产品品类最齐全的企业之一，银河微电已构建IDM一体化经营模式。财报显示，2026年上半年，公司实现营业收入6.11亿元，同比增长28.28%；归母净利润4825.85万元，同比增长77.28%。

此次10.78亿元的大额投资，被视为银河微电加速向高端功率器件升级的又一重要战略举措。公司在高端功率器件领域采用“内部扩建+外延并购”双线推进策略。此前，银河微电发布公告，公司筹划通过发行股份购买恒泰柯半导体（上海）有限公司100%的股权，该公司在150V-200V中高压SGT MOSFET领域达到国产顶尖水准，而银河微电本次扩产项目的核心品类恰好覆盖SGT/SJ、IGBT等优势赛道。

此外，银河微电高端集成电路分立器件产业化基地项目在常州新北区于2025年底开工。项目建设先进半导体车规级分立器件以及第三代半导体功率模块线，达产后预计年产车规级分立器件5.5亿只/年、小信号及功率器件80亿只/年、光电器件25亿只/年、IGBT及碳化硅功率模块5000万只/年的生产能力。预计2027年2月完成整体验收交付。‌‌

随着新能源汽车800V高压平台普及、光伏储能装机规模扩张以及工业自动化升级，国内功率半导体市场需求持续释放，本土厂商正迎来国产替代的关键窗口期。

根据Omdia、WSTS、中国半导体行业协会等统计，2019年中国半导体分立器件市场规模为2772亿元， 2025年增长至3630亿元，复合年均增长率为4.60%。新能源汽车、储能、工业控制等下游领域发展，将带动功率器件等产品需求。2025年全球功率半导体分立器件市场中，汽车电子仍为第一大应用领域，中国市场国产化比例持续提升，其中模块类产品国产化率同比提升6个百分点。

当前，全球半导体分立器件行业整体呈现寡头垄断、分层竞争的发展格局。行业第一梯队以英飞凌、安森美、意法半导体等国际大厂为代表，凭借IDM全产业链模式与研发实力，在高压IGBT、宽禁带半导体、车规级器件等高附加值赛道占据主导，整体市场占比较高。第二梯队包含华润微、士兰微等国内头部企业及国际二线厂商。

华经产业研究院近期在报告中表示，中国半导体分立器件产量整体呈现出增长态势。2022年后逐步恢复并趋于稳定。随着新一代信息技术产业向着数字化、网络化、智能化不断推进，新材料（如碳化硅 SiC、氮化镓 GaN、锑化物等）和新技术（如微纳米、MEMS、碳纳米管等）不断实现创新与突破，对半导体分立器件未来的发展产生深远的影响，不断促进半导体分立器件向高频、高速、大功率、低功耗、小型化、功能化等方面演变。从下游应用领域来看，随着新能源汽车、智能终端、5G、物联网、大数据、人工智能等战略新兴行业的发展，将带动新型半导体分立器件市场的进一步快速发展。