湖北
据业内可靠消息爆料，三星正式敲定新一代高带宽存储器扩产计划，预计2027年将HBM4、HBM4E全系产品产能，在2026年基础上实现至少翻倍增长，以此匹配AI加速器市场对超高带宽、超高密度存储产品持续高涨的刚需。
此次产能扩容的核心信号，已率先在核心制程辅材采购订单中落地。数据显示，三星计划将HBM晶圆减薄制程专用的玻璃载板外协清洗体量，从2026年月均2万片，大幅提升至2027年月均5万片，整体增幅达2.5倍。
玻璃载板是HBM高端封装制程的关键辅助物料，主要临时贴合于薄型DRAM晶圆背面，可有效规避晶圆在研磨、钻孔、多层堆叠等精密工序中出现翘曲、变形、破裂等问题，待晶圆封装前置工序全部完成后即可拆除，且合格载板可清洗后重复利用。
随着高端HBM产品迭代升级，行业堆叠工艺持续升级，主流堆叠层数已从8层向12层、16层进阶，晶圆减薄精度、平整度及翘曲控制标准大幅提升，玻璃载板的品质与用量直接决定高堆叠HBM产线的良率与产能上限，成为新一代HBM量产的核心配套刚需物料。
业内分析人士表示，即便综合考量玻璃载板可重复使用特性、不同制程工序损耗及生产良率波动带来的用量差异，此次外协清洗量2.5倍的大幅扩容，依然充分印证三星2027年HBM4、HBM4E产能翻倍的行业预期具备极高可行性。回顾过往数据，三星HBM玻璃载板月均清洗量2025年仅为1万片，2026年已实现翻倍增长，2027年将再度大幅拉升，产能扩张节奏清晰明确。
从整体产能规划来看，业界预测三星HBM晶圆月投入量将从2026年的18万片，增至2027年的25万片，整体产能增幅接近40%。与此同时，三星同步完成产品结构高端化升级，聚焦高附加值新品迭代，HBM4系列产品出货占比有望从2026年的40%，攀升至2027年的80%，成为其HBM产能绝对主力。
技术量产层面，三星已具备成熟的新一代产品落地能力。公司于2026年2月正式实现HBM4规模化量产，该产品采用10纳米级（1c）DRAM工艺搭配4纳米基底芯片制程；2026年5月，三星已向英伟达等核心下游客户送出12层堆叠版本的HBM4E样品，目前产品已进入终端客户验证测试阶段，距离正式量产交付更进一步。后续三星新增HBM产能将全部倾斜于HBM4、HBM4E高端系列，精准匹配AI算力芯片对超大带宽、单堆叠大容量存储的核心需求。
持续的技术迭代与产能扩张，也让三星的全球HBM市场份额快速突围。据Counterpoint Research统计数据，三星HBM业务营收市场份额从2025年Q2的15%，大幅攀升至2026年Q2的33%，一年内份额实现翻倍增长。其与行业龙头SK海力士的市场差距持续收窄，二者份额差距从去年同期的49个百分点，压缩至17个百分点。随着下游客户导入进度加快、2027年HBM4系列新增产能集中释放，三星有望进一步抢占全球高端HBM市场话语权。
业内人士特别指出，玻璃载板外协清洗量虽无法与HBM4、HBM4E晶圆实际产能形成完全对等的量化对应关系，但作为高堆叠HBM制程的先行核心配套指标，此次2.5倍的用量扩容，是三星产能重心全面转向新一代高端HBM产品的明确信号。
综上，三星2027年HBM4与HBM4E产能翻倍的计划，已从玻璃载板清洗量2.5倍增长中得到先行印证。随着市场份额一年内从15%跃升至33%，叠加HBM4系列出货占比升至80%，三星正加速缩小与SK海力士的差距。若扩产如期落地，其全球高端HBM市场话语权将显著增强，AI存储格局亦将迎来深刻重塑。
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