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9月21日，相关媒体报道，英特尔正与友达合作开发Micro LED基板先进封装，方向涵盖CPO以及高密度算力芯片整合。英特尔对此未作回应；友达董事长彭双浪此前仅表示，公司已在先进封装、玻璃基板等领域与伙伴共同开发，暂不公开合作方。
近年来，英特尔持续扩大封装技术版图。除嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）外，还将玻璃基板导入相关方案，希望凭借高平整度、耐高温、低热膨胀系数与低信号损耗等特性，承接AI芯片对高密度互连的需求。
此次传闻中的Micro LED基板方案，则来自英特尔获得的美国授权专利“IC Package with Micro LEDs”。该设计把半导体芯片嵌入玻璃基板，并通过贯穿玻璃通孔（TGV）建立电气连接，同时为Micro LED供电。换言之，封装本身可直接呈现芯片工作状态、客制化光效，甚至支持原位光电测试。
据悉，友达作为知名显示面板厂商，拥有近30年玻璃制程经验，已将RDL、TGV、异质整合和Micro LED结合，用于CPO封装、低轨卫星玻璃天线等产品。公司今年还计划增加Micro LED产品种类，并为AI相关新技术平台投入试产线。
近期，友达在光通信领域布局也陆续公开。在SEMICON Taiwan 2026上，其展示了面向AI数据中心10米内短距互连的Micro LED CPO模块，整合群内的Micro LED发射端、外部微探测器接收端、光敏介电材料及康宁光纤方案；
同期展出的玻璃核心基板则结合康宁半导体级玻璃与友达RDL制程，面向大尺寸AI处理器、高带宽内存及CPO封装。
此外，友达董事会7月通过86.41亿新台币资本支出，用于TGV、RDL及玻璃基板试产线，预计2026年下半年启动建设。
目前，友达已串联富采、鼎元形成Micro LED CPO生态链：富采负责Micro LED发射光源，鼎元提供Micro PD接收组件，友达则掌握玻璃TGV/RDL中介基板、巨量转移、微透镜耦合及CPO模块系统整合。三方的分工覆盖光源、探测、封装与光纤连接，对应AI芯片短距光互连所需的关键环节。
英特尔在光互连领域同样动作频繁。今年OFC期间，其展示面向AI scale-up场景的OCI芯粒，采用Die-to-Die架构重构，目标是将功耗降至5pJ/bit以下、把带宽密度提升到1Tb/s/mm以上。
6月，英特尔又在VLSI研讨会上展示基于微环谐振器的单纤800Gbps DWDM收发方案，总能量效率达到5.7pJ/b。
若友达、英特尔双方合作消息为真，英特尔的封装专利与友达在玻璃、Micro LED及RDL上的制造能力可形成互补，推进双方光通信业务的发展。
LEDinside整理
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