中欣晶圆申请复合清洗液相关专利，该清洗液可除硅垢护基材提良率延寿命

来源：新浪证券-红岸工作室

9月20日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“用于CVD不锈钢备件边框的低腐蚀复合清洗液及清洗工艺”的专利。申请公布号为CN122773362A，申请号为CN202611114252.6，申请公布日期为2026年9月18日，申请日期为2026年7月27日，发明人吕进午，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号C23G1/08、C23G1/04、C23C22/78、C23C22/50、C23C16/44。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于CVD不锈钢备件边框的低腐蚀复合清洗液及清洗工艺，所属半导体设备零部件清洗技术领域，针对APCVD不锈钢腔体边框厚层龟裂二氧化硅垢清洗时存在的渗透差、基材点蚀及残氟引发晶圆缺陷的问题，清洗液复配氟化氢铵、低浓度氢氟酸、乙二醇二乙醚二胺四乙酸络合剂、苯并三氮唑与钼酸钠复配缓蚀剂、异辛醇聚氧乙烯醚渗透剂及柠檬酸缓冲体系；清洗工艺采用分段超声浸泡（静态预泡结合低频超声刻蚀）、三级梯度中和漂洗及硝酸钝化收尾。可快速渗入龟裂缝隙彻底剥离厚层硅垢，将不锈钢腐蚀速率控制在0.002mm/a以内，清洗后无氟残留、基材光亮无麻点，有效消除硅垢脱落引发的晶圆缺陷，批次综合电学良率提升16%以上，延长备件使用寿命3倍。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本122666.67万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息486条，拥有行政许可24个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1用于CVD不锈钢备件边框的低腐蚀复合清洗液及清洗工艺发明专利公布CN202611114252.62026-07-27CN122773362A2026-09-18吕进午2一种直接检测熔汤温度的单晶炉测温装置和方法发明专利公布CN202611022169.62026-07-09CN122751328A2026-09-15高洪涛、杨凯、曹雁、芮阳、河野贵之、张友海3一种防边缘塌边的硅片磨片工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202611000756.52026-07-07CN122626084A2026-08-25缪燃4一种改善硅片边缘质量的抛光液及抛光工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610965685.62026-06-30CN122668633A2026-09-01姜翠兰、徐威楠、郭天天、张友海5半导体晶圆粗抛液精准配液装置及其配液方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610948076.X2026-06-29CN122516906A2026-08-07毛国领6倒角边缘硅粉残留吹扫装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610936296.02026-06-26CN122644334A2026-08-28方一栋7一种基于背光透射成像的重掺硅片通孔无损检测方法与系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610912668.62026-06-24CN122671453A2026-09-01马艺迪8一种晶圆缺陷检测及质量判定方法和系统发明专利公布CN202610912667.12026-06-24CN122775683A2026-09-18罗国菁9用于半导体晶圆测试载台及其控制方法发明专利公布CN202610834004.22026-06-10CN122766307A2026-09-15李君10一种APCVD洗净设备翻面下料控制机构、装置及方法发明专利公布CN202610795431.42026-06-04CN122784364A2026-09-18王方立11校准ICP-MS前机台的清洗方法发明专利公布CN202610743000.32026-05-27CN122462314A2026-07-28苏慧云12晶圆边缘抛光真空吸盘抛布精准定位工装及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610714833.72026-05-22CN122645192A2026-08-28陈彬13硅片双面抛光抛光垫的贴附优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610460108.12026-04-09CN122442510A2026-07-24吴平14一种改善硅片平坦度和表面微观纳米形貌的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433578.92026-04-03CN122033767A2026-05-15张文军15一种基于H发明专利实质审查的生效、公布CN202610435085.92026-04-03CN122318758A2026-06-30王鸣16LAP研磨液分流装置及其改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610401390.62026-03-30CN122099994A2026-05-29孙贵昌17研磨机磨轮牙齿边缘视觉识别与磨损程度评估算法发明专利实质审查的生效、公布CN202610381764.22026-03-26CN122335698A2026-07-03冯黎明18一种能准确检出重掺品单晶气孔不良率的检出系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610364165.X2026-03-24CN122305916A2026-06-30张晨阳、康海洋、蔡敏杰19减少清洗后硅片表面残留水的装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357091.72026-03-23CN122008067A2026-05-12石建群20硅片研削设备平坦度TTV稳定性加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357084.72026-03-23CN122299516A2026-06-30苏鹏辉21一种边缘腐蚀机生产工艺中的柔性可调水平暂存台系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610300126.32026-03-12CN122126635A2026-06-02万琨22一种外延污染监控硅片及其生产方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610299599.62026-03-12CN122180364A2026-06-09孙若力23基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱24一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191045.42026-02-10CN122270106A2026-06-23吴瑶25针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610152360.62026-02-03CN122108938A2026-05-29任梦26CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖27用于超低电阻硅片的电容式平坦度测量装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128881.82026-01-30CN122015634A2026-05-12张迪28基于复合化学机械抛光与低损伤等离子蚀刻的晶圆表面协同处理工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610124745.12026-01-29CN122206247A2026-06-12裴宁29一种硅片片盒传递的分选机取送料系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610101895.02026-01-26CN122057704A2026-05-19张晨阳、康海洋、蔡敏杰30改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀31通过颗粒测试机台测试热氧化后先行片孪晶缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066826.02026-01-19CN122094438A2026-05-26宋金会32一种减少硅片DIC异常的柔性吸附转移系统及放置方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066822.22026-01-19CN122094437A2026-05-26侯文艺33针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东34提升硅片表金属清洗效率且环境友好型的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610021291.52026-01-08CN122054939A2026-05-15毛攀35一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳36检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧37一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群38一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃39降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏40一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智41一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠42一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽43一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛44一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东45一种用于半导体晶圆化学机械抛光的低缺陷率复合抛光液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020703.12025-12-30CN121950188A2026-05-01姜翠兰46基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红47一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎48一种高生长速率的EPI生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博49一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮50颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌