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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“漏极电触点与漏极层形成具有不同能量势垒高度的结的半导体装置”的专利，公开号CN122785418A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，一种半导体装置(500)，例如GaN基高电子迁移率晶体管，包含在沟道层(510)和势垒层(520)之上的混合漏极接触结构。所述混合漏极接触结构包含：第一漏极触点(550)，其电耦合到所述沟道层(510)；半导体层(552)，其在所述势垒层(520)之上且包含第一半导体部分和第二半导体部分；以及第二漏极触点，其在所述半导体层(552)上且电耦合到所述第一漏极触点(550)。所述第二漏极触点包含第一金属部分(554)和第二金属部分(556)。所述第一金属部分(554)和所述第一半导体部分形成具有第一能量势垒高度的第一结(570)。所述第二金属部分(556)和所述第二半导体部分形成具有第二能量势垒高度的第二结(574)，所述第二能量势垒高度低于所述第一能量势垒高度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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