北京
智通财经获悉，三位知情人士透露，韩国存储芯片巨头SK海力士(SKHY.US)旗下子公司Solidigm正考虑在美国建设NAND闪存芯片工厂，纽约州北部地区成为主要候选地。此举正值特朗普政府不断施压韩国芯片商扩大在美制造，而AI数据中心的巨额投资正令全球存储芯片供应趋于紧张。
知情人士称，该拟议项目与SK海力士和英特尔的洽谈无关，后者涉及在英特尔俄亥俄州工厂生产内存芯片。
SK海力士表示，其美国子公司Solidigm正在审查各种选项以增强业务竞争力，但尚未确认具体计划。
在美建厂可降低对大连工厂依赖，规避关税与出口限制
若在美国设厂，将减少Solidigm对其位于中国大连的唯一NAND生产设施的依赖，同时帮助其规避潜在的美国关税以及芯片设备出口限制的影响。
这一扩张消息传出之际，中国竞争对手正迅速增加产能，以缩小与外国竞争对手的技术差距。
不过，一位消息人士提醒，尚未就Solidigm的美国投资达成协议，关键项目细节仍在讨论中。SK海力士可能谨慎行事，因为在美国制造芯片比在韩国更昂贵，同时华盛顿与首尔仍在就贸易和投资事宜进行谈判。
受相关消息影响，SK海力士股价在首尔市场收盘上涨6.4%，而基准KOSPI指数上涨2.7%。
韩方态度微妙，NAND政治阻力或小于DRAM
当被问及美国向韩国芯片制造商施压要求在美国建厂时，韩国总统李在明表示，首尔将寻求“保护韩国的国家利益，同时尊重企业的观点”。他周五称“这仍然是一个有争议的问题”，但没有详细说明。
一位消息人士称，SK海力士通过其美国子公司生产NAND芯片可能面临较少的政治阻力，因为该技术不像高带宽内存(HBM)等先进DRAM产品那样具有战略敏感性。
韩国政府已敦促SK海力士和竞争对手三星加快在韩国西南部建立新的半导体制造集群的计划，潜在投资达数千亿美元。据报道，首尔方面可能存在的反对意见，或使SK海力士在英特尔工厂生产HBM甚至传统DRAM等先进内存芯片的雄心复杂化。
美国商务部长霍华德·卢特尼克威胁称，除非韩国和中国台湾企业承诺扩大在美国的生产，否则将对其征收高达100%的关税。
韩国芯片制造商正受到华盛顿和首尔的双重拉扯，双方还在就韩国去年向美国做出的 3500 亿美元投资承诺进行谈判，以换取美国降低关税。
据悉，DRAM为处理器提供工作内存，而NAND则存储手机、计算机和数据中心中的数据。
Solidigm连年亏损，美股上市前景引关注
自2020年SK海力士以90亿美元从英特尔收购Solidigm以来，由于NAND市场长期低迷，该业务面临多年亏损。
虽然在美国扩张可能帮助SK海力士缩小与三星的市场份额差距，并抵御来自中国的竞争，但到新工厂开始生产时需求将如何发展仍不清楚。增加新的半导体产能通常需要数年，而对前沿AI模型发展放缓的担忧，给长期内存芯片需求前景蒙上阴影。
媒体上月报道称，SK海力士正为Solidigm筹划规模达5万亿至10万亿韩元的Pre-IPO融资。报道称，Solidigm已开始招募负责SEC申报及对外财务披露的高管，进一步强化了市场对其将在纳斯达克上市的预期。SK海力士随后回应称，Solidigm正在评估各项提升竞争力的措施，但尚未作出任何决定。
若Solidigm成功在纳斯达克挂牌，将标志着SK海力士进一步深化其美国资本布局。这家韩国存储芯片巨头今年7月以每股149美元的价格发行了1.779亿份美国存托凭证(ADR)，募集265亿美元，刷新了外国公司赴美上市的募资纪录。
本文源自：智通财经网
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