北京
9月18日消息，据路透社报道，中国内存芯片领军企业长鑫存储正准备进军由三星等海外巨头主导的NAND闪存市场。当前全球存储芯片因人工智能爆发而陷入广泛短缺，长鑫存储此举旨在借机扩大客户基础。
同时，这也意味着这家一直深耕DRAM动态随机存取内存的企业，将与国内另一家巨头长江存储迎面相撞，直接杀入半导体行业增长最快的核心领域之一。
由AI服务器引发的这轮全球缺芯潮，被业内普遍认为至少会延续到2027年。SK海力士首席执行官此前公开预测，2027年可能是整个半导体行业供需形势最严峻的年份；集邦咨询也预计，闪存供不应求的局面短期内难以显著缓解。
与此同时，各大海外厂商目前普遍将资本开支优先倾斜给DRAM以及高带宽内存HBM，极大压缩了普通NAND闪存的新增产能，从而进一步加剧了该品类的供给短缺。在计算机体系中，DRAM主要负责处理器的即时数据交换，而NAND闪存则承担手机、电脑和数据中心的长期数据存储。
知情人士表示，长鑫存储计划在其位于北京的新厂区内设立一条NAND闪存研发试验线，并在北京专门设立了负责闪存开发的科研机构。长鑫甚至已经开始与下游客户沟通其闪存规划，其中一家新兴初创企业就计划采购其闪存产品，用于AI系统和超级计算机的存储设备中。
不过，该研发产线何时正式运转，以及长鑫是否会从研发试产迅速走向大规模量产，目前仍有待观察。相关企业及北京市相关部门均未对此作出回应。
在目前的全球闪存格局中，三星在第二季度以近三成的营收份额牢牢占据第一位，SK海力士和美光科技紧随其后。而在中国本土，长鑫存储与长江存储一直被称为存储芯片领域的双子星，原本各自有着井水不犯河水的行业分工：长鑫主攻内存，长江存储则专注闪存。但如今这一分工界限正在被迅速打破。
今年4月就有消息传出，长江存储已开始向客户交付低功耗DRAM芯片样品，主动探入了长鑫的核心基本盘，而长鑫此次筹备闪存，无疑是走向了正面对攻。
尽管国内两家厂商在技术梯队上距离国际一线大厂仍有差距，且受制于中低端制程，但本土供应的极度吃紧反而放大了它们在部分国内客户面前的议价能力，部分产品的出货价格甚至一度高于海外同类竞品。这两家分别依托合肥和武汉两地产业资本与国家基金扶持起家的大厂，如今已成为推动半导体自主化的关键支柱。
长鑫存储在今年7月刚完成了规模近580亿元人民币的巨额融资，正在全力推进北京第二座芯片工厂的落地；长江存储母公司也正在谋划高达330亿元的上市筹资。伴随着外部出口管制对先进制程和关键AI芯片的步步收紧，本土存储厂商正试图通过全品类布局，筑牢各自的生存底线。
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