北京
国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“一种外延层电阻率的测量方法及标准外延结构”的专利，公开号CN122784393A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种外延层电阻率的测量方法及标准外延结构，通过待测外延层的生长工艺依次生长N个子层，以组成标准外延结构，对标准外延结构采用电容‑电压法测量电阻率，从而获得标准外延结构的各深度的电阻率，从而获得待测外延层在不同深度的电阻率和待测外延层的厚度；另外，通过标准外延结构中电阻率随深度周期性变化的周期获得待测外延层的厚度；另外，通过不同子层内的电阻率分别得到待测外延结构不同位置的电阻率，以提高灵活性；另外，能够对多个子层的电阻率进行平均处理，以提高待测外延层不同深度电阻率的准确性。
天眼查资料显示，上海新昇半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新昇半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2141次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息810条，此外企业还拥有行政许可241个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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