北京
国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“电迁移测试空洞位置的定位方法”的专利，公开号CN122776032A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种电迁移测试空洞位置的定位方法，方法包括：获取已完成电迁移测试并判定失效的测试结构，并测量初始电阻值；将测试结构在预设位置进行切断，形成两个独立的测试结构段；在两个独立的测试结构段的两端，分别引出两个测试焊盘作为测试电极；分别测量两个测试结构段的两端的测试电阻值，并根据分割比例，将各个测试结构段的测试电阻值与理论电阻值进行比较，确定空洞所位于测试结构段；在确定包含空洞的测试结构段，重复执行切断处理以及分别测量测试电阻值并比较的步骤，直至空洞位置的定位范围缩小至预期分析要求。所述定位方法能够解决现有定位方案中的空洞形貌易被破坏、定位精度不足难以满足高分辨率显微分析要求的问题。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目294次，财产线索方面有商标信息21条，专利信息715条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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