中国NAND存储企业，2026年第二季度出货量跻身全球前三，技术仅落后三星约1年

当前，全球存储市场正处于长景气“超级周期”。在人工智能算力需求爆发与头部企业产能策略调整带来的全球供给结构性失衡双重驱动下，通用存储供需缺口持续拉大。高盛研报显示，2026年DRAM（动态随机存储器）、NAND Flash（NAND闪存）及HBM（高带宽存储器）的供需缺口分别为4.9%、4.2%和5.1%，均为2011年以来历史高位。

简单介绍一下，NAND Flash属于非易失性存储芯片（Non-Volatile Memory），是一种断电后仍能保存数据的存储设备。依据单个存储单元可存储的比特数量，可分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC五类，下游终端广泛用于U盘、固态硬盘（SSD）、手机内置闪存等产品。在全球存储芯片市场中，其规模仅次于DRAM。

根据知名调研机构Counterpoint Research发布的报告，2026年第二季度全球NAND Flash市场营收创下历史新高，较2025年第二季度增长五倍。环比增长70%，继今年第一季度录得90%涨幅后，连续第二个季度创历史性季度增幅。

本轮增长几乎完全由价格端驱动——当季NAND合约价格环比上涨55%，而整体出货量基本持平，显示市场供需紧张态势持续加剧。随着AI产业重心从训练向推理迁移，企业级SSD占总位元出货量（Bit Shipment）的48%，同比提升22个百分点，由此大幅挤压消费级存储供应。预计到2026年年底，这一比重将超过50%。

按NAND位元出货量计算，三星电子（Samsung）位居榜首，份额达到25%，但较2024年第二季度（32%）明显下滑，这主要是因为公司主动倾斜产能，优先供给利润率更高的DRAM（尤其是HBM）产品。

6月23日，三星电子宣布已开发出业界首款通用闪存存储（UFS）5.0产品系列，专为设备端AI优化，可支撑设备内部高速AI计算处理。该产品基于第九代V-NAND（V9）闪存技术开发，顺序读取速度10.8GB/s，较上一代UFS 4.1能效提升40%，计划第四季度启动量产，供应范围将覆盖旗舰智能手机、XR头显及智能可穿戴设备等。

SK海力士（SK hynix）位居次席，市占率为22%，主要得益于子公司Solidigm的提振，后者位元出货量环比增长40%。4月8日，这家韩国企业宣布已开始向客户批量供应业内首款具备321层QLC NAND闪存的cSSD（客户端固态硬盘‌）产品——PQC21，这也是当前已量产QLC NAND闪存中堆叠层数最高的方案。

该产品核心在于将321层超高堆叠技术与QLC（四层单元）架构相结合，在相同物理尺寸下实现更高的存储密度和容量效率。提供1TB与2TB两种容量选择，适用于笔记本电脑、迷你主机等空间受限的设备。

长江存储（YMTC）出货量同比增长22%、环比增长5%，超越铠侠（Kioxia）排名第三，份额达14%。2025年第二季度曾首次跻身前三，但随后排名未能维持。预计到2027年初，其产能将达到每月30万片晶圆，待两座新晶圆厂于2027年投产后，总产能到2028年将增长至每月45万至50万片晶圆。相比之下，三星到2027年底的NAND产能预计为每月35万片晶圆。

公开资料显示，这是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业，成立于2016年12月，总部位于湖北武汉。主要提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

长江存储自主研发了晶栈（Xtacking）架构技术，把存储单元阵列和外围控制电路分别放在两片独立的晶圆上，最后再把两片晶圆键合在一起。区别于三星V-NAND、海力士4D NAND一体化晶圆工艺，不仅可以实现更大的存储密度、更高的传输速度，还大大缩短研发周期。

过去三年（2023至2025年），长江存储累计研发投入141.89亿元。目前已量产267层3D NAND，并推进基于Xtacking架构的300层以上产品研发。韩国半导体产业协会最新评估显示，其在NAND闪存方面仅落后约1年。

不过按营收计算，三星电子 (28%)、SK 海力士 (19%) 稳居前二，美光（Micron）以15%的份额位居第三，环比增长2个百分点。长江存储、铠侠并列第四，市场份额均为14%，此后是闪迪（SanDisk）的11%。

长江存储环比持平，同比提升3个百分点，由于其产品结构集中在客户端SSD等消费级市场，高售价、高利润的数据中心eSSD占比偏低，因此被出货容量低于自己的美光超过，后者企业级SSD占比较高。并列的铠侠，三成以上的出货量面向服务器市场。

长江存储正在有意识补齐短板。在3月27日的CFMS|MemoryS 2026（2026中国闪存市场峰会）上，推出了三款PCIe 5.0企业级eSSD——PE522、PE511、PE501，分别面向高性能、高安全和大容量AI存储场景。