北京
国家知识产权局信息显示，北京芯光晶源科技有限公司申请一项名为“一种掺杂均匀的垂直梯度凝固法磷化铟单晶及其制备方法”的专利，公开号CN122751354A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明属于化合物半导体单晶制备领域，提供了一种掺杂均匀的垂直梯度凝固法磷化铟单晶及其制备方法。本发明将硫掺杂磷化铟母合金颗粒或高纯金属掺杂原料、高纯红磷‑磷化铟化学势缓冲包、高纯三氧化二硼和热解氮化硼坩埚体系相结合，并在具体生长过程中采用垂直布里奇曼法分段控速生长实现垂直梯度凝固，使掺杂源分布、磷化学势和固液界面推进相匹配，从而改善晶片径向和轴向电学均匀性，降低位错蚀坑密度，缓解大直径生长中生长效率、界面稳定性、掺杂偏析和电学一致性难以兼顾的问题，适用于半导体衬底和光电子器件材料制备。
天眼查资料显示，北京芯光晶源科技有限公司，成立于2026年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，北京芯光晶源科技有限公司专利信息1条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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